腐蝕在鋁合金部分腐蝕中和點蝕相同，也是一種常見的腐蝕現(xiàn)象。這種腐蝕是沿著晶界或許在其近旁發(fā)作，所以稱之為腐蝕。關(guān)于腐蝕的成因，廣泛認(rèn)為是由晶界與相鄰晶粒之間的電位差構(gòu)成的。以AI-Cu-Mg合金為例，在時效脫溶之后，晶界有一條無堆積帶，含Cu較少，電位較負(fù)，構(gòu)成陽極相。晶粒內(nèi)含Cu較高，電位較正，構(gòu)成了陰極相。在腐蝕進(jìn)程中，電位較負(fù)的貧Cu區(qū)將被優(yōu)先腐蝕，并跟著鋁的溶解，晶粒中孤立的Cu也隨之進(jìn)人溶液，尤其是陰極相中鋁的溶解使Cu直接進(jìn)人溶液，生成Cu2十。由于Cu2+的氧化恢復(fù)電位很正（相關(guān)于鋁的電位），所以會在鋁表面的陰極區(qū)恢復(fù)分出，這種分出進(jìn)程稱之為二次堆積。
由于這種二次堆積行為，使鋁在腐蝕介質(zhì)中又構(gòu)成新的富Cu陰極相，使上一腐蝕進(jìn)程重復(fù)進(jìn)行。這一現(xiàn)象對鋁的維護(hù)來說要極力防止。但在鋁合金表面紋理蝕刻中，腐蝕同樣是紋理的又一成因，特別是具有針狀晶粒結(jié)構(gòu)的材料關(guān)于絲狀紋理的構(gòu)成更為重要。為到達(dá)這一目的，能夠在腐蝕介質(zhì)中加人適量的氧化恢復(fù)電位較正的金屬離子或氧化性陰離子，以到達(dá)對鋁合金表面絲狀紋理蝕刻強化的目的。但這只能對那些具有絲狀紋理腐蝕傾向的合金材料才有明顯效果。也有材料介紹在有抑制劑的電解質(zhì)溶液中，通過外加電場的效果對鋁合金表面進(jìn)行絲狀紋理蝕刻。
通過有限的實驗發(fā)現(xiàn)，關(guān)于那些不具有絲狀紋理腐蝕傾向的合金材料效果并不明顯，若要廣泛用于批量生產(chǎn)，還有待于進(jìn)一步研討。在蝕刻進(jìn)程中，由于電位差的緣故，有可能是沿晶粒的邊界先蝕刻，然后整個晶粒被蝕刻溶解。所以在晶粒標(biāo)準(zhǔn)較大的材料上進(jìn)行紋理蝕刻更簡略獲得粗糙度高的紋理效果。但過大的晶粒標(biāo)準(zhǔn)經(jīng)蝕刻后將會影響到材料的強度，特別是經(jīng)較長時間的蝕刻，其影響程度更大。所以在進(jìn)行紋理蝕刻時，控制蝕刻時間（也就是控制對材料的蝕刻量）是很重要的。
